目前硅單晶的生產方法以直拉法(CZ)和區熔法(FZ)為主，世界上硅單晶的產量中70%~80% 是用直拉法生產的。常用的直拉法生產硅單晶工藝是采用即像真空工藝又像流動氣氛工藝的減壓拉晶工藝。

　　減壓拉晶工藝是在硅單晶拉制過程中，連續均勻地向單晶爐爐膛內通入惰性氣體(一般采用高純度的氬氣)，同時真空泵不斷地從爐膛向外抽氣，保持爐膛內真空度穩定在(2.7~5.3)×103Pa。這種工藝既有真空工藝的特點(爐膛內保持負壓)，又有流動氣氛工藝的特點(不斷充氣，不斷排氣)。

　　采用這種工藝可以在硅單晶生長過程中，使向爐膛內充入的高純度氬氣氣流從上而下地貫穿整個硅單晶生長的區域，及時地帶走由于高溫而產生出來的硅氧化物和雜質揮發物，確保硅單晶的品質。根據現在最常用的硅單晶直拉法減壓拉晶工藝，真空系統一般都配備滑閥式真空泵。但隨著大直徑、重摻雜等特殊要求的硅單晶需求量的增加，對單晶爐設備的要求也越來越高，采用滑閥式真空泵的缺點也日益顯現。

　　采用滑閥式真空泵直拉單晶爐真空系統的缺點，通過改造真空系統，將水環式真空泵應用在直拉單晶爐設備上，提高了直拉單晶爐的整體性能。